| 发明名称 | 半导体存储器件 | ||
| 摘要 | 在半导体存储器件中，所述半导体存储器件包括：共享的读出放大器部分；在共享的读出放大器部分相对侧设置的存储单元部分对；在存储单元部分对和共享的读出放大器部分之间的传输门对；和构成多个位线对的位线，所述位线通过传输门对将共享的读出放大器部分和存储器单元部分对彼此连接，在相对侧的传输门对之间的大致中心处绞合所述多个位线对中的位线对的位线。 | ||
| 申请公布号 | CN1959837B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200610142921.7 | 申请日期 | 2006.10.31 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 延时知子;太田贤 |
| 分类号 | G11C7/06(2006.01)I;G11C11/4091(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 谷惠敏;钟强 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：共享的读出放大器部分；在共享的读出放大器部分的相对侧设置的存储单元部件对；在共享的读出放大器部分的相对侧上、在存储单元部件对和共享的读出放大器部分之间设置的传输门对；构成多个位线对的位线，所述位线通过传输门对将共享的读出放大器部分和存储单元部件对彼此连接；其中所述共享的读出放大器部分包括第一共享的读出放大器，其连接有在相对侧的传输门对之间的基本中心处绞合的多个位线对的位线对中的位线；和第二共享的读出放大器，其连接有未绞合的多个位线对的位线对中的位线，所述第一和第二共享的读出放大器交替排列。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||