低容层积型晶片变阻器及其所使用的过电压保护材料

摘要

一种低容层积型晶片变阻器，在1MHz下电容值小于0.5pF，具有耐数千次以上的8kv静电冲击的特性，包含一陶瓷主体，且该陶瓷主体的两端设有外电极及其内部设有内电极，陶瓷主体包含无机玻璃3～50wt％及粒径大于0.1微米的半导体或导体颗粒50～97wt％；且所述的半导体或导体颗粒的表面包覆一层无机玻璃薄膜，其中，所述的无机玻璃薄膜中，含有粒径小于1微米的亚微米或纳米级半导体微粒或导体微粒，而且半导体或导体微粒的含量为无机玻璃含量的20wt％以下。

主权项

一种具有微孔结构的过电压保护材料，应用于正负电极间以抑制瞬时突波电压及静电冲击，包含无机玻璃组成3～50wt％及粒径大于0.1微米的半导体或导体颗粒50～97wt％；其特征在于，所述的半导体或导体颗粒的表面包覆一层由所述无机玻璃组成构成的无机玻璃薄膜，且所述的无机玻璃薄膜中，含有粒径小于1微米的亚微米或纳米级半导体或导体微粒，且所述亚微米或纳米级半导体或导体微粒的含量为无机玻璃含量的20wt％以下。