| 发明名称 | 通过植入掺杂材料制造CMOS器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)，并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在CMOS器件中形成晶体管，植入N-型及P-型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用As4Hx+簇与B10Hx或B10Hx+簇作为As及B掺杂的掺杂源。本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN101308785B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200810111491.1 | 申请日期 | 2003.06.06 |
| 申请人 | 山米奎普公司 | 发明人 | 托马斯·N·霍尔斯基;达勒·C·雅各布森;韦德·A·克鲁尔 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 一种将掺杂剂材料植入一衬底内的方法，该方法包括如下步骤：自一第一分子物质产生PnHx+形式的N-型簇离子，其中n和x为整数，且n处于2≤n≤4，x处于0≤x≤6的范围内；自一第二分子物质产生P-型簇离子；将所述N-型簇离子植入一衬底上的一第一区域内；及将所述P-型簇离子植入所述衬底上的一第二区域内。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||