发明名称 |
溴化镧铈闪烁晶体的制造方法 |
摘要 |
一种溴化镧铈闪烁晶体的制备方法,其特点是:在配置溴化镧铈晶体生长原料时掺入了其它离子(加固剂)以增大晶体的抗裂强度,这种加固剂离子可以是三价离子,也可以是二价或四价离子;晶体采用特制悬挂石英坩埚下降法生长。本发明由于加固剂离子的位错钉扎作用,阻止了位错扩散和晶面滑移,有效地防止了晶体在生长和加工过程中的开裂,大大提高了所制备的溴化镧铈单晶体的强度,提高了晶体质量。 |
申请公布号 |
CN101723433A |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200810167894.8 |
申请日期 |
2008.10.16 |
申请人 |
郝佳 |
发明人 |
郝佳 |
分类号 |
C01F17/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01F17/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种溴化镧铈晶体的制备方法,化学成分中包含加固剂成分,该晶体的化学通式为(CexRyLa1-x-y)Br3,其中0.01≤x≤0.99,0.01≤y≤0.2,0≤x+y≤1。其中R是代表+3价离子加固剂,它可以是Ga、In、Tl、Sc、Bi组中的一种或数种元素的组合。 |
地址 |
100085 北京市海淀区上地十街1号院3号楼0713室 |