发明名称 溴化镧铈闪烁晶体的制造方法
摘要 一种溴化镧铈闪烁晶体的制备方法,其特点是:在配置溴化镧铈晶体生长原料时掺入了其它离子(加固剂)以增大晶体的抗裂强度,这种加固剂离子可以是三价离子,也可以是二价或四价离子;晶体采用特制悬挂石英坩埚下降法生长。本发明由于加固剂离子的位错钉扎作用,阻止了位错扩散和晶面滑移,有效地防止了晶体在生长和加工过程中的开裂,大大提高了所制备的溴化镧铈单晶体的强度,提高了晶体质量。
申请公布号 CN101723433A 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200810167894.8 申请日期 2008.10.16
申请人 郝佳 发明人 郝佳
分类号 C01F17/00(2006.01)I 主分类号 C01F17/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种溴化镧铈晶体的制备方法,化学成分中包含加固剂成分,该晶体的化学通式为(CexRyLa1-x-y)Br3,其中0.01≤x≤0.99,0.01≤y≤0.2,0≤x+y≤1。其中R是代表+3价离子加固剂,它可以是Ga、In、Tl、Sc、Bi组中的一种或数种元素的组合。
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