发明名称 半导体器件
摘要 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括电感器,该电感器被构造为基于较高电压区域的电源电压将电流提供给第一节点。第一开关被构造为基于第二节点处的电压有选择性地将电流从第一节点提供给第三节点;第二开关被构造为基于第三节点处的电压有选择性地将电流从第一节点提供给第二节点;第三开关被构造为基于较低电压区域的输入逻辑电平将电流从第三节点提供给接地端子;并且第四开关被构造为与第三开关交替地被导通/截止,以将电流从第二节点提供给接地端子。
申请公布号 CN101729058A 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200910207357.6 申请日期 2009.10.26
申请人 恩益禧电子股份有限公司 发明人 福井正
分类号 H03K19/0175(2006.01)I;H03K19/0185(2006.01)I 主分类号 H03K19/0175(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 孙志湧;穆德骏
主权项 一种半导体器件,包括:电感器,所述电感器被构造为基于较高电压区域的电源电压将电流提供给第一节点,第一开关,所述第一开关被构造为基于第二节点处的电压有选择性地将电流从所述第一节点提供给第三节点;第二开关,所述第二开关被构造为基于所述第三节点处的电压有选择性地将电流从所述第一节点提供给所述第二节点;第三开关,所述第三开关被构造为基于较低电压区域的输入逻辑电平将电流从所述第三节点提供给接地端子,以及第四开关,所述第四开关被构造为与所述第三开关交替地被导通/截止,以将电流从所述第二节点提供给所述接地端子。
地址 日本神奈川