电路、用于调节的方法以及调节回路的应用

摘要

电路、用于调节的方法以及调节回路(30，40，100)的应用，所述调节回路(30，40，100)用于为了休眠模式而对CMOS电路(20)的数据保持电压(USP-USN)和/或漏电流(ILP+ILN)进行调节，其中，为了进行所述调节而使所述CMOS电路(20)工作在测量模式中，其中，在所述测量模式中仅漏电流(ILP+ILN)流过所述CMOS电路(20)；其中，所述调节回路(30，40，100)在所述测量模式中对所述数据保持电压(USP-USN)和/或所述漏电流(ILP+ILN)进行调节；以及其中，存储所述调节回路(30，40，100)的调节用于所述休眠模式。

主权项

电路，具有一数字CMOS电路(20)，所述数字CMOS电路(20)具有NMOS场效应晶体管(MN21，MN22)以及具有PMOS场效应晶体管(MP21，MP22)，具有一第一负载装置(40)，其中，所述数字CMOS电路(20)的NMOS场效应晶体管(MN21，MN22)的源极连接端子(SN)通过所述第一负载装置(40)与一第一供电电压(VSS)相连接，以及具有一第二负载装置(30)，其中，所述数字CMOS电路(20)的PMOS场效应晶体管(MP21，MP22)的源极连接端子(SP)通过所述第二负载装置(30)与一第二供电电压(VDD)相连接，以及具有一分析处理电路(100)，所述分析处理电路(100)为了对所述NMOS场效应晶体管(MN21，MN22)的源极连接端子(SN)上的一第一源极电压(USN)进行分析处理而与所述NMOS场效应晶体管(MN21，MN22)的源极连接端子(SN)相连接并且为了对所述PMOS场效应晶体管(MP21，MP22)的源极连接端子(SP)上的一第二源极电压(USP)进行分析处理而与所述PMOS场效应晶体管(MP21，MP22)的源极连接端子(SP)相连接，其中，所述分析处理电路(100)为了对所述第一负载装置(40)上的一第一电压降(U40)进行调节而与所述第一负载装置(40)的一第一控制输入端(41)相连接，以及其中，所述分析处理电路(100)为了对所述第二负载装置(30)上的一第二电压降(U30)进行调节而与所述第二负载装置(30)的一第二控制输入端(31)相连接。