| 发明名称 | 化学机械研磨后残留物的去除方法 | ||
| 摘要 | 一种化学机械研磨后残留物的去除方法，包括：提供一半导体晶片；用含有氧化剂和研磨剂的研磨液对所述半导体晶片表面进行化学机械研磨；用酸性溶液对所述半导体晶片表面进行清洗。该方法能够去除研磨后的污染物残留。 | ||
| 申请公布号 | CN101197268B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200610119134.0 | 申请日期 | 2006.12.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张斐尧;李福洪;杜应提;薛景星 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种对钨的化学机械研磨后残留物的去除方法，包括：提供一含钨的半导体晶片；用含有氧化剂和研磨剂的研磨液对所述半导体晶片表面进行化学机械研磨；所述氧化剂为硝酸铁、氰亚铁酸盐、硫酸盐、高锰酸盐中的一种或其组合；所述研磨剂为CMP3200、CR90中的一种或其组合；将研磨后的半导体晶片放入含有酸性溶液的清洗槽，对所述半导体晶片表面进行清洗；其中，所述酸性溶液为草酸、柠檬酸、醋酸、氢氟酸中的一种；用毛刷擦洗所述半导体晶片表面，同时用氨的水溶液进行清洗；用去离子水对所述半导体晶片进行清洗；所述残留物包括含铁的盐、金属钨的氧化物、研磨剂颗粒中的一种或组合。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||