一种金属氧化物半导体晶体管失配特性的测量方法

摘要

一种MOS晶体管失配特性的测量方法，包括：生成至少一组包含两个或两个以上相同MOS晶体管的第一版图图案；至少生成一组与所述第一版图图案相同但摆放角度不同的第二版图图案；将所述第一和第二版图图案转移到半导体晶片上，在所述半导体晶片上生成至少两组具有不同摆放角度的半导体器件；测量所述半导体器件中的MOS晶体管的电性参数；计算所述每一组半导体器件中结构及制造工艺相同的MOS晶体管的电性参数的差异；计算相同摆放角度半导体器件的所述差异的标准差，并比较不同摆放角度的半导体器件的所述标准差的大小。本发明还提供一种版图图案及其形成的方法。本发明能够较真实和全面的反映相同的MOS晶体管的失配特性。

主权项

一种金属氧化物半导体晶体管失配特性的测量方法，其特征在于，包括：生成至少一组包含两个或两个以上结构相同金属氧化物半导体晶体管的第一版图图案；至少生成一组与所述第一版图图案相同但摆放角度不同的第二版图图案；将所述第一和第二版图图案转移到半导体晶片上，在所述半导体晶片上生成至少两组具有不同摆放角度的半导体器件，所述每一组半导体器件包含两个或两个以上结构及制造工艺相同的金属氧化物半导体晶体管；测量所述半导体器件中的金属氧化物半导体晶体管的电性参数；计算所述每一组半导体器件中结构及制造工艺相同的金属氧化物半导体晶体管的电性参数的差异；计算相同摆放角度半导体器件的所述差异的标准差，并比较不同摆放角度的半导体器件的所述标准差的大小。