磁阻效应元件和磁阻式随机存取存储器

摘要

提供了一种可以用低电流反转磁化方向，具有低面电阻(RA)和高TMR比值的磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层和位于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层，其中，所述磁化自由层包括其中磁化方向可以改变的磁性层，所述磁化固定层包括其中磁化方向被固定的磁性层，所述中间层是包含硼(B)和从由Ca、Mg、Sr、Ba、Ti和Sc组成的组中选出的元素的氧化物。通过所述中间层在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间双向提供电流，使得所述磁化自由层的磁化可反转。

主权项

一种磁阻效应元件，包括：叠层膜，其包括磁化自由层、磁化固定层以及位于所述磁化自由层与所述磁化固定层之间的中间层，其中，所述磁化自由层包括磁化方向可以改变的磁性层，所述磁化固定层包括磁化方向被固定的磁性层，所述中间层是包含硼和镁的氧化物，其中通过所述中间层在所述磁化固定层与所述磁化自由层之间双向提供电流，能够使所述磁化自由层的磁化反转，所述中间层中的硼的浓度峰值向所述中间层与所述磁化固定层和所述磁化自由层的至少一个的界面侧偏移。