| 发明名称 | 一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法。本发明下电极结构有机场效应晶体管，包括栅极电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极，其中，源电极和漏电极是本发明的图案化石墨烯电极。本发明制备图案化石墨烯电极的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积金属薄膜，并将所述金属薄膜图案化；2)将沉积有图案化金属薄膜的衬底置于化学气相沉积系统中，在图案化金属电极材料表面上化学气相沉积石墨烯，得到图案化石墨烯电极；其中，化学气相沉积所用的碳源为甲醇、乙醇、丙醇、戊醇、苯、甲苯、二甲苯和甲烷等。 | ||
| 申请公布号 | CN101442105B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200710177814.2 | 申请日期 | 2007.11.21 |
| 申请人 | 中国科学院化学研究所 | 发明人 | 于贵;狄重安;魏大程;刘云圻;郭云龙;朱道本 |
| 分类号 | H01L51/40(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 一种制备图案化石墨烯电极的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积金属薄膜，并将所述金属薄膜图案化；2)将沉积有图案化金属薄膜的衬底置于化学气相沉积系统中，在图案化金属薄膜表面化学气相沉积石墨烯，得到图案化石墨烯电极。 | ||
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