发明名称 |
使用电子束的面下成像 |
摘要 |
一种通过面下成像来定位或末端指示微观结构的方法,该面下成像使用具有足够能量的电子束以穿透表面并产生面下图像。对于末端指示来说,当该面下图像在已知的电子能量变得相对清楚时,使用者知道他正接近掩埋的特征。对定位来说,面下图像可以由基准点或其它特征形成,以便确定该器件上射束的位置。 |
申请公布号 |
CN1855365B |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200610079373.8 |
申请日期 |
2006.04.03 |
申请人 |
FEI公司 |
发明人 |
P·D·卡勒森 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01J37/304(2006.01)I;H01J37/305(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
魏军 |
主权项 |
一种使用离子束铣削和电子束成像来处理半导体器件的方法,包括:将聚焦离子束指向半导体器件以便铣削接近掩埋金属层的孔;将具有足够能量电子的电子束指向所述孔的底部,以便得到面下图像,并且收集从所述孔喷射出的电子以便通过至少1μm厚的硅观察所述金属层的面下图像;以及使用所述金属层的面下图像确定何时停止使用所述聚焦离子束的铣削。 |
地址 |
美国俄勒冈州 |