发光二极管的封装结构及其应用

摘要

本发明一种发光二极管的封装结构及其应用，其中该发光二极管包括：一个第一半导体导电层形成于基板之上；一个主动层，是以多层量子井(Multi-Quantum-Well)形成于第一半导体导电层之上；以及一个第二半导体导电层，形成于主动层之上；其中将至少一种异质材料所形成的多个微粒散布于第一半导体导电层与主动层之间，通过形成具有多个不规则且高低起伏的多层量子井。本发明的发光二极管组件或封装结构，应用于相关电子装置，其光源具有较高的发光效率，而使相关电子装置的使用效能更高。

主权项

一种发光二极管封装结构，包含一承座、至少一个发光二极管组件容置于该承座上、以及一封装材料包覆该发光二极管组件；其特征在于该发光二极管组件包括： 一第一电极； 一基板，形成于该第一电极之上； 一第一半导体导电层，形成于该基板之上； 一主动层，以具有多个不规则且高低起伏形状的多层量子井形成于该第一半导体导电层之上； 一第二半导体导电层，形成于该主动层之上； 一透明导电层，形成于该第二半导体导电层之上；以及 一第二电极，形成于该透明导电层之上； 其中，至少一种异质材料所形成的多个微粒散布于该第一半导体导电层与该主动层之间，通过此，形成该具有多个不规则且高低起伏的形状的多层量子井。