用于在基片的多层结构中形成电子器件的方法

摘要

一种用于在多层结构中形成电子器件的方法，包括以下步骤：在横向延伸的第一层中限定表面形状分布；在所述第一层上沉积至少一个非平面化层，以使所述或每个非平面化层的表面的所述表面形状分布与所述横向延伸的第一层的表面形状分布一致；以及在所述最上非平面化层上沉积至少一个附加层的图案，从而通过所述非平面化层的所述表面形状分布的形状限定所述附加层的横向位置，并由此所述附加层与在所述第一层中的所述表面形状分布横向对准。

主权项

一种用于在基片的多层结构中形成电子器件的方法，包括以下步骤：沉积横向延伸的第一层以限定所述器件的一个或多个电极，其中所述一个或多个电极限定表面形状分布的一个或多个相对突出区域，所述表面形状分布还包括一个或多个相对凹入区域；在所述第一层上沉积至少一个非平面化层，以使所述至少一个非平面化层的表面的表面形状分布与所述横向延伸的第一层的表面形状分布一致；以及在所述至少一个非平面化层的最上层的表面形状分布的一个或多个相对凹入区域中的一个或多个上选择性地沉积电极材料，以限定所述器件的一个或多个其他电极。