| 发明名称 | 一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在选择性发射极太阳电池制造过程中用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺，包括以下步骤：(1)快排加冲淋：采用快排加冲淋的方式快速将硅片表面大部分的浆料及反应物去除并排出；(2)超声波清洗：将快排加冲淋后的硅片放入超声波清洗机中，用超声波把残留在硅片表面的浆料清洗掉；(3)快排加冲淋：采用快排加冲淋的方式快速排出硅片表面经超声波清洗后仍然附着其上的杂质。与现在普遍采用的用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺相比，本发明可彻底清除掉硅片表面的各种杂质，杜绝了其对后续工艺及最终电池片性能的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101494252B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910037424.4 | 申请日期 | 2009.02.26 |
| 申请人 | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 | 发明人 | 朴松源;李静;郭育林 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;B08B3/00(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人 | 李海波 |
| 主权项 | 一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺，其特征在于包括以下步骤：(1)快排加冲淋：采用快排加冲淋的方式快速将硅片表面大部分的浆料及反应物去除并排出；(2)超声波清洗：将快排加冲淋后的硅片放入超声波清洗机中，用超声波把残留在硅片表面的浆料清洗掉；(3)快排加冲淋：采用快排加冲淋的方式快速排出硅片表面经超声波清洗后仍然附着其上的杂质。 | ||
| 地址 | 225131 江苏省扬州市扬州经济开发区建华路1号 | ||