发明名称 再分布金属层及再分布凸点的制作方法
摘要 一种再分布金属层的制作方法,包括:提供表面具有钝化层的晶片,钝化层具有第一开口,焊盘位于第一开口内,所述钝化层及焊盘上形成有带露出焊盘的第二开口的第一绝缘层;在第一绝缘层上及第二开口内形成再分布金属层;在再分布金属层表面形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成与第二开口错开分布的第三开口,曝露出再分布金属层;通入不与再分布金属层反应的气体,去除第三开口内的第二绝缘层残渣。本发明还提供一种再分布凸点的制作方法。本发明通入不与再分布金属层反应的气体,去除第三开口内的第二绝缘层残渣。使再分布金属层不被气体腐蚀,保持完整,使后续制作的凸点的电性能及可靠性提高。
申请公布号 CN101459088B 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200710094471.3 申请日期 2007.12.13
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 李润领;靳永刚
分类号 H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 李丽
主权项 一种再分布金属层的制作方法,其特征在于,包括:提供表面具有钝化层的晶片,钝化层具有第一开口,焊盘位于第一开口内,所述钝化层及焊盘上形成有带露出焊盘的第二开口的第一绝缘层;在第一绝缘层上及第二开口内形成再分布金属层;在再分布金属层表面形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成与第二开口错开分布的第三开口,曝露出再分布金属层;通入氧气、四氟化碳和氢气组合或氧气、四氟化碳、氢气和氮气组合,去除第三开口内的第二绝缘层残渣,所述气体不与再分布金属层反应。
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