发明名称 利用烧结炉通过二次烧结规模化生产晶硅太阳电池的方法
摘要 本发明公开了一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产晶硅太阳电池的方法,包括制绒、扩散、去磷硅玻璃、等离子增强型化学气相淀积法淀积氮化硅薄膜、背电极印刷、烘干、背电场印刷、烘干、正电极印刷步骤,在背电场印刷、烘干后先在烧结炉中进行第一次高温烧结处理,然后进行正电极印刷,并在正电极印刷后在烧结炉中进行第二次高温烧结处理,然后经测试分选得产品。本发明的实质,在规模化生产方面,在背电极,铝背场印刷之后,增加一个高温烧结工艺,改变以前的共烧工艺为二次烧结炉的烧结工艺。二次烧结炉高温烧结后,P+层的厚度为5-10μm。经过二次高温烧结工艺烧结的电池效率分别比共烧工艺制造的提高0.25-0.6%,本发明适合于规模化生产。
申请公布号 CN101383390B 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200810156753.6 申请日期 2008.09.25
申请人 江苏林洋新能源有限公司;江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司 发明人 王玉亭;傅建奇;王栩生;吴现实;高周妙
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 南通市永通专利事务所 32100 代理人 葛雷
主权项 一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产晶硅太阳电池的方法,包括制绒、扩散、去磷硅玻璃、等离子增强型化学气相淀积法淀积氮化硅薄膜、背电极印刷、烘干、背电场印刷、烘干、正电极印刷步骤,其特征是:背电极印刷及烘干在第一次高温烧结处理之前进行,在背电场印刷、烘干后先在烧结炉中进行第一次高温烧结处理,然后进行正电极印刷,并在正电极印刷后在烧结炉中进行第二次高温烧结处理,然后经测试分选得产品,产品为P型衬底形式,发射结在电池正面、氮化硅薄膜之下。
地址 226200 江苏省启东市经济开发区林洋路666号