发明名称 |
固态成像器件及制造其的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种固态成像器件及其制造方法,所述固态成像器件包括:多个像素,二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中,每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分;元件隔离层,其设置在沿各个电荷聚集区周边的阱区表面上,且其将各个像素彼此电隔离;和扩散层,其设置在所述元件隔离层下面,以围绕各个电荷聚集区,且将各个像素彼此电隔离,所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度。每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。 |
申请公布号 |
CN101728409A |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200910209101.9 |
申请日期 |
2006.01.05 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
田谷圭司;阿部秀司;大桥正典;正垣敦;山本敦彦;古川雅一 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
马高平 |
主权项 |
一种固态成像器件,包括:多个像素,二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中,每个像素包括光电转换部分,所述光电转换部分具有聚集信号电荷的电荷聚集区和设置于所述电荷聚集区上的聚集层;元件隔离层,设置在沿各个电荷聚集区周边的所述阱区表面上,且将各个像素彼此电隔离;和扩散层,设置在所述元件隔离层下面,从而围绕各个电荷聚集区,且将各个像素彼此电隔离,所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度从而在所述多个像素的每个中在被所述扩散层围绕的位于所述元件隔离层正下方的位置产生延伸区,其中每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触,或者在所述延伸区中朝向所述扩散层延伸了至少所述延伸区的宽度的一半,且其中所述聚集层的导电类型与所述扩散层相同,且所述聚集层在所述元件隔离层下延伸从而接触所述扩散层。 |
地址 |
日本东京都 |