绝缘层上覆硅元件及其制造方法

摘要

一种绝缘层上覆硅元件及其制造方法，此绝缘层上覆硅元件包括绝缘层上覆硅基底、N型井区、栅极结构以及P型掺杂区。绝缘层上覆硅基底包括绝缘层以及配置于绝缘层上的P型掺杂硅层。N型井区配置于P型掺杂硅层中。栅极结构配置于N型井区上。栅极结构包括N型掺杂栅极以及配置于N型掺杂栅极与N型井区之间的栅介电层。P型掺杂区配置于栅极结构两侧的N型井区中。本发明使用N型掺杂栅极来作为P型绝缘层上覆硅金属氧化物半导体晶体管中的栅极，且可以进一步地于N型掺杂栅极下方配置N型淡掺杂区，因此能够有效地提升元件效能。

主权项

一种绝缘层上覆硅元件，包括：一绝缘层上覆硅基底，包括：一绝缘层；以及一P型掺杂硅层，配置于该绝缘层上；一N型井区，配置于该P型掺杂硅层中；一栅极结构，配置于该N型井区上，该栅极结构包括：一N型掺杂栅极；以及一栅介电层，配置于该N型掺杂栅极与该N型井区之间；以及一P型掺杂区，配置于该栅极结构两侧的该N型井区中。