硅太阳电池硅烧结体内连结构的制造方法

摘要

本发明涉及太阳电池的制造方法，公开了一种硅太阳电池硅烧结体内连结构的制造方法，包括如下步骤：(1)在硅基片上加工一些能够从硅片的一面穿过N型或P型硅层、到达P型或N型硅层的孔或槽；(2)将硅浆料印制填充在步骤(1)制备的孔中；(3)烧结形成硅烧结体内连结构；(4)在电池的非受光面印刷和烧结电极形成电池的负极和正极输出。本发明实现电池全部电极由背表面引出，适用于常规太阳电池材料和工艺。取得了转换效率高、极连方便、可靠性高和外表美观等有益效果。

主权项

一种硅太阳电池硅烧结体内连结构的制造方法，其特征在于，该方法包括如下的步骤：(1)打孔：使用激光、化学腐蚀或物理手段增强化学腐蚀的方法在硅基片上加工一些能够从硅片的一面穿过N型或P型硅层、到达P型或N型硅层的孔或槽；(2)填充硅浆料：用印刷工艺将硅浆料填充在步骤(1)制备的孔中；(3)烧结：通过烧结，使硅浆料中的硅粉致密化，形成硅烧结体内连结构；(4)制备电极：在电池的非受光面，分别在有硅烧结体分布处和没有硅烧结体分布处印刷电极浆料或沉积金属导电层，经烧结，电极与硅烧结体和硅基片间形成良好的欧姆接触，作为电池的负极和正极输出。