发明名称 |
一种高温冶金法制备太阳能级多晶硅的工艺 |
摘要 |
一种高温冶金法制备太阳能级多晶硅的工艺,属于冶金技术领域,步骤包括将二氧化硅原料和碳质还原剂分别进行酸洗和真空预处理,混合后进行电弧冶炼;在冶炼获得的硅中加入造渣剂并在搅拌条件下进行炉外精炼,将炉外精炼结束后获得的硅置于真空感应炉中,抽真空通入保护气体升温至1500~1900℃搅拌精炼10~30min,再抽真空至≤0.1Pa,冷却。该方法可采用现有的常规设备,通过逐步提高纯度的方法,采用相对简单的步骤获得纯度99.9999%以上的高纯度多晶硅。本发明的方法能够产生巨大的经济效益,具有良好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN101724902A |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200910248411.1 |
申请日期 |
2009.12.16 |
申请人 |
东北大学 |
发明人 |
邢鹏飞;庄艳歆;吴文远;涂赣峰;李峰 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01)I;C30B28/04(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳东大专利代理有限公司 21109 |
代理人 |
李在川 |
主权项 |
一种高温冶金法制备太阳能级多晶硅的工艺,步骤包括将二氧化硅原料和碳质还原剂分别进行酸洗预处理、冶炼还原、精炼和定向凝固步骤;其特征在于所述的冶炼还原步骤为:将酸洗预处理后的碳质还原剂和二氧化硅原料混合后进行电弧冶炼,碳质还原剂与二氧化硅原料的配比按还原SiO2所需C量的1.1~1.3倍,电弧冶炼采用埋弧电弧冶炼方法;精炼的步骤为:在冶炼获得的硅中加入造渣剂并在搅拌条件下进行炉外精炼,造渣剂的加入量为硅总重量的5~30%,精炼温度为1550~2000℃,搅拌时间为10~30min,去除矿渣后结束炉外精炼;将炉外精炼结束后获得的硅置于真空感应炉中,抽真空至≤0.1Pa,通入保护气体至压力为0.05~0.1MPa,然后升温至1500~1900℃搅拌精炼10~30min,再抽真空至≤0.1Pa,冷却后获得固体硅。 |
地址 |
110004 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号 |