| 发明名称 | 间隙壁的制造方法及其蚀刻后的清洗方法与半导体元件 | ||
| 摘要 | 一种间隙壁的制造方法，此制造方法为，提供已形成有元件结构的基底，而元件结构包括栅极结构以及源极/漏极区。然后，于基底上方形成间隙壁材料层，以覆盖基底与元件结构。接着，进行一蚀刻工艺，移除部分间隙壁材料层，以于栅极结构侧壁形成间隙壁。之后，进行一等离子体处理步骤，于基底、间隙壁与元件结构表面形成间隙壁保护层。 | ||
| 申请公布号 | CN1933111B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200510103863.2 | 申请日期 | 2005.09.16 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 王传凯;陈薏新;刘家瑞;陈瓀懿;林明邑 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 一种间隙壁的制造方法，包括：提供已形成有一元件结构的一基底，该元件结构包括一栅极结构以及一源极/漏极区；于该基底上方形成一间隙壁材料层，覆盖该基底与该元件结构；进行一蚀刻工艺，移除部分该间隙壁材料层，以于该栅极结构侧壁形成一间隙壁；以及进行一等离子体处理步骤，以于该基底、该间隙壁与该元件结构表面形成一间隙壁保护层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||