内埋电容元件结构及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种内埋电容元件结构及其制造方法。该内埋电容元件结构包括：介电层、第一导电层、第二导电层、第一嵌板以及第二嵌板。其中介电层具有一厚度。第一导电层位于介电层的一侧，且具有第一电性。第二导电层位于介电层上相对于第一导电层的另一侧，且具有第二电性。第一嵌板嵌设于介电层之中，与第一导电层电性连结。第二嵌板嵌设于介电层之中，与第二导电层电性连结，且与第一嵌板相距有一段距离。

主权项

一种内埋电容元件结构，其特征在于包括：一介电层，具有一厚度；一第一导电层，位于该介电层的一侧，其中该第一导电层具有一第一电性；一第二导电层，位于该介电层上相对于该第一导电层的另一侧，其中该第二导电层具有一第二电性；一第一嵌板，嵌设于该介电层之中，与该第一导电层电性连结；一第二嵌板，嵌设于该介电层之中，与该第二导电层电性连结，且与该第一嵌板相距有一距离，一第三嵌板，嵌设于该介电层之中，与该第一导电层电性连结，其中该第二嵌板位于该第一嵌板与该第三嵌板之间，且三者彼此都相距有一距离；以及一第四嵌板，嵌设于该介电层之中，与该第二导电层电性连结，其中该第三嵌板位于该第二嵌板与该第四嵌板之间，且三者彼此都相距有一距离。