| 发明名称 | 一种制造精炼冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造精炼冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法，包括如下5个步骤：热处理、氧化处理、磷扩散、驱入处理和保温，从而完成精炼冶金多晶硅片的磷扩散处理。本发明的磷扩散方法可以降低太阳能电池的漏电流，提高电池的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101494251B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910024889.6 | 申请日期 | 2009.03.02 |
| 申请人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 | 发明人 | 王立建;王栩生;章灵军 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 陶海锋 |
| 主权项 | 一种制造精炼冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将待处理的精炼冶金多晶硅片在700～800℃氮气气氛中进行热处理20～40分钟；(2)将上述处理后的硅片在850～1050℃氮气和氧气混合气氛中进行氧化处理，使其表面形成5～10纳米的氧化层；(3)在850～900℃下通磷源进行扩散，使得表面方块电阻在30～40欧姆/□，结深0.4～0.9微米；(4)再在800～900℃氮气和氧气混合气氛中进行驱入处理10～120分钟；(5)最后在750～800℃氮气气氛中保温10～60分钟，完成精炼冶金多晶硅片的磷扩散处理。 | ||
| 地址 | 215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 | ||