| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种半导体装置。上述半导体装置包含：一基底；一位于该基底上的第一金属层；一位于该第一金属层上的介电层；以及一位于该介电层上的第二金属层。其中该第一金属层具有：一第一体心立方晶格金属层；一第一氮化物层，其位于该第一体心立方晶格金属层的下方，该第一氮化物层为该第一体心立方晶格金属层的组成的氮化物；及一体心立方晶格的第一界面，其位于该第一体心立方晶格金属层与该第一氮化物层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101359662B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200710143733.0 | 申请日期 | 2007.08.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 曹荣志;王喻生;陈科维;王英郎 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包含：一基底；一位于该基底上的第一金属层；一位于该第一金属层上的介电层；以及一位于该介电层上的第二金属层，其中该第一金属层具有：一第一体心立方晶格金属层；一第一氮化物层，其位于该第一体心立方晶格金属层的下方，该第一氮化物层为该第一体心立方晶格金属层的组成的氮化物；及一体心立方晶格的第一界面，其位于该第一体心立方晶格金属层与该第一氮化物层之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||