| 发明名称 | 半导体器件、晶圆粗对准标记及粗对准方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶圆粗对准标记，包括，第一结构和分布于第一结构外围的第二结构，所述第一结构呈形状，所述第二结构包括四组光栅，其中相邻两组光栅互相垂直。本发明还公开了一种半导体器件及粗对准方法。本发明半导体器件、晶圆粗对准标记及粗对准方法由于解决了现有技术粗对准之后的晶圆在精对准时失败的问题，因而提高了精对准的成功率。 | ||
| 申请公布号 | CN101369571B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200710045032.3 | 申请日期 | 2007.08.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 杨晓松 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括中心区域以及环绕中心区域的边缘区域，其中所述边缘区域具有晶圆粗对准标记，其特征在于，所述晶圆粗对准标记包括第一结构和分布于第一结构外围的第二结构，所述第一结构呈十字形状，所述第二结构包括四组光栅，其中相邻的两组光栅互相垂直。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||