发明名称 一种利用活泼金属还原硅氯化物制造多晶硅的方法
摘要 本发明公开了一种利用活泼金属还原硅氯化物制造多晶硅的方法。本发明的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种能耗少、工艺简单、成本低的一种利用活泼金属还原硅氯化物制造多晶硅的方法。所述方法是利用活泼金属还原硅的氯化物,将反应物进行分离清洗后从中获得硅粉,将所得硅粉在真空中蒸馏提纯,通过真空蒸馏使硅与其中的活泼金属及其中的其它杂质分离,使硅的纯度达到太阳能电池或电子工业硅纯度要求的方法。本发明用于制造太阳能电池或电子工业用的多晶硅原料。
申请公布号 CN101723375A 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200810201721.3 申请日期 2008.10.24
申请人 上海奇谋能源技术开发有限公司 发明人 王武生
分类号 C01B33/033(2006.01)I 主分类号 C01B33/033(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种利用活泼金属还原硅氯化物制造多晶硅的方法,包括硅的氯化物,其特征是:所述方法是利用活泼金属还原硅的氯化物,将反应物进行清洗分离后从中获得硅粉,将所得硅粉在真空中蒸馏提纯,通过真空蒸馏使硅与其中的活泼金属及其中的杂质分离,使硅的纯度达到太阳能电池或电子工业纯度要求的方法。
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