| 发明名称 | 电介质薄膜、薄膜电介质元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种相对介电常数高、漏电流密度小、物理特性和电气特性稳定的电介质薄膜，并且提供高容量且高可靠性的薄膜电容器等薄膜电介质元件及其制造方法。薄膜电介质元件制造方法含有具有由组成式(BaxSr(1-x))aTiO3(0.5＜x≤1.0、0.96＜a≤1.00)表示的氧化物、例如钛酸钡锶且厚度为500nm以下的电介质薄膜、以及在导电电极上形成该电介质薄膜之后在氧化性气氛中进行退火工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1790569B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200510119998.8 | 申请日期 | 2005.09.30 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 内田清志;堀野贤治;齐田仁 |
| 分类号 | H01G4/12(2006.01)I;H01B3/12(2006.01)I;C04B35/46(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 郭煜;邹雪梅 |
| 主权项 | 一种电介质薄膜，其为含有由组成式(BaxSr(1-x))aTiO3表示的氧化物的电介质薄膜，其特征在于：表示组成比的符号x、a为0.5＜x≤1.0、0.96＜a＜1.00，厚度为500nm以下，相对介电常数为450以上，施加电场强度为100kV/cm时的漏电流密度为1×10-6A/cm2以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||