| 发明名称 | 平面背栅极CMOS中的高性能电容器 | ||
| 摘要 | 一种用于双栅极CMOS结构的制造方法和器件。所述结构包括在绝缘层(100)中的第一板(106a-d)和在所述绝缘层之上电对应所述第一板的第二板(110a-d)。隔离结构(108a-d)在所述第一板与所述第二板之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101258592B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200680026427.2 | 申请日期 | 2006.06.26 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | A·布赖恩特;E·J·诺瓦克;R·Q·威廉姆斯 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 一种制造双栅极CMOS结构的方法，包括以下步骤：在绝缘层中形成掩埋的第一板；在所述绝缘层之上形成电对应所述第一板的第二板；以及在所述第一板与所述第二板之间提供隔离结构，其中所述隔离结构包括介质层和硅岛，所述介质层包围硅岛并且与所述绝缘层接触，以及所述绝缘层形成所述第一板与所述硅岛之间的背板绝缘结构。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||