| 发明名称 | 锑铋相变合金掩膜只读式超分辨光盘 | ||
| 摘要 | 一种锑铋相变合金掩膜只读式超分辨光盘，其结构包括介质层、掩膜层和盘基，其特点在于所述的介质层由氮化硅构成；所述的掩膜层由锑铋合金，即SbxBi(1-x)薄膜构成，其中x值的变化范围是0.7～0.9。本发明锑铋相变合金掩膜只读式超分辨光盘具有结构简单、读出功率低、灵敏度高和较好的读出循环性等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN101409086B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200810202974.2 | 申请日期 | 2008.11.19 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 姜来新;吴谊群;王阳;魏劲松 |
| 分类号 | G11B7/24(2006.01)I;G11B7/241(2006.01)I | 主分类号 | G11B7/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 一种锑铋相变合金掩膜只读式超分辨光盘，其结构包括介质层(01)、掩膜层(02)和盘基(03)，其特征在于所述的介质层(01)由氮化硅构成；所述的掩膜层(02)由锑铋合金，即SbxBi1-x薄膜构成，其中x值的变化范围是0.7～0.9。 | ||
| 地址 | 201800 上海市800-211邮政信箱 | ||