发明名称 半导体集成电路
摘要 在电源供给暂时(或瞬间)停止、而后其电源供给恢复时在加电清除电路中也保持复位期间。半导体集成电路(200)的加电清除电路(30),具有:电容器(C31),其一端连接到外部电源电压(Vcc1);N沟道MOS晶体管(Q31),漏极连接到电容器(C31)的另一端,并且源极连接到接地电位,栅极经由电阻(R31)连接到外部电源电压(Vcc1);和变换器(INV31),连接到电容器(C31)及MOS晶体管(Q31)的连接点,并且电源连接到内部电源电压(Vcc2)和接地电位之间。
申请公布号 CN1734938B 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200510084576.1 申请日期 2005.08.01
申请人 恩益禧电子股份有限公司 发明人 北岛宽之
分类号 H03K17/22(2006.01)I;G05F1/56(2006.01)I 主分类号 H03K17/22(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 穆德骏;关兆辉
主权项 一种半导体集成电路,其特征在于,具有:电压调节器,输出外部电源电压以及比所述外部电源电压低的内部电源电压;以及加电清除电路,所述加电清除电路包括变换器,所述变换器具有连接到所述内部电源电压的电源端子以及接受所述外部电源电压的输入端子,当所述外部电源电压的供给停止而后其电压供给恢复时,所述变换器输出复位信号,和MOS晶体管和电容器,所述MOS晶体管和所述电容器串联连接在所述外部电源电压和接地电位之间,所述MOS晶体管和所述电容器之间的连接点连接到所述变换器的所述输入端子,所述MOS晶体管具有连接到所述外部电源电压和所述接地电位的端子,在所述外部电源电压供给时所述MOS晶体管被导通,所述电容器具有连接到所述外部电源电压和所述接地电位二者之一的端子,在所述外部电源电压供给时,所述电容器由所述外部电源电压充电。
地址 日本神奈川