硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅快闪存储器及其制作方法

摘要

一种SONOS快闪存储器及其制作方法，制作方法包括：在半导体衬底上形成介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构；在所述三层堆叠结构上依次形成第一多晶硅层、腐蚀阻挡层，所述第一多晶硅层的厚度为依次刻蚀腐蚀阻挡层和第一多晶硅层，形成开口；通过开口位置进行离子注入，在半导体衬底内形成源极和漏极；在开口内以及腐蚀阻挡层上形成介电层，并进行平坦化处理直至曝露出腐蚀阻挡层；去除腐蚀阻挡层；刻蚀介电层，使高于第一多晶硅层的介电层侧壁形成缺口；在所述多晶硅层以及介电层表面形成第二多晶硅层，并刻蚀形成字线。形成的SONOS快闪存储器避免在介电层之间以及介电层侧壁形成多晶硅残留。

主权项

1.一种SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体衬底上形成介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构；在所述三层堆叠结构上依次形成第一多晶硅层、腐蚀阻挡层，所述第一多晶硅层的厚度为200～依次刻蚀腐蚀阻挡层和第一多晶硅层，形成开口；通过开口位置进行离子注入，在半导体衬底内形成源极和漏极；在开口内以及腐蚀阻挡层上形成介电层，并进行平坦化处理直至曝露出腐蚀阻挡层；去除腐蚀阻挡层；刻蚀介电层，使高于第一多晶硅层的介电层侧壁形成避免在介电层的侧壁以及介质层之间产生多晶硅残留的缺口，所述高于第一多晶硅层的介电层侧壁的缺口宽度为介电层宽度的5％至30％；在所述第一多晶硅层以及介电层表面形成第二多晶硅层，并刻蚀第二多晶硅层形成字线。