| 发明名称 | 外延晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供外延晶片的制造方法，其包括以下工序：在硅单晶片的主表面上使硅外延生长的工序；用特定的处理液在100℃以下的温度下处理所述晶片的主表面，将附着在所述晶片主表面的颗粒除去的同时形成规定膜厚的氧化膜的晶片平坦化前处理工序；对所述主表面进行镜面抛光的表面抛光工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101140868B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200710148267.5 | 申请日期 | 2007.09.04 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 中原信司;坂井正人;土肥敬幸 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/30(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 孙秀武;李平英 |
| 主权项 | 一种外延晶片的制造方法，其包括以下工序：在硅单晶片的主表面上使硅外延生长的工序；用含有氧化剂的处理液在100℃以下的温度下处理所述晶片的主表面，将附着在所述晶片主表面的颗粒除去的同时形成规定膜厚的氧化膜的晶片平坦化前处理工序；对所述主表面进行镜面抛光的表面抛光工序；上述硅单晶片是{110}晶片，上述表面抛光工序的抛光量为0.1～1.0μm的范围。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||