| 发明名称 | 等离子体掺杂方法及利用该方法制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子体掺杂方法，包括在衬底上提供掺杂源。所述掺杂源包括待注入到所述衬底中的掺杂剂。施加至少两种不同的偏压以将所述掺杂剂从所述掺杂源注入到所述衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101071768B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200710106813.9 | 申请日期 | 2007.05.10 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 卢载盛;吴在槿;孙贤哲;黄善焕;李镇九 |
| 分类号 | H01L21/223(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/223(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种等离子体掺杂方法，包括：在衬底上提供掺杂源，所述掺杂源具有待注入到所述衬底中的掺杂剂；和施加至少两种不同的偏压以将所述掺杂剂从所述掺杂源注入到所述衬底，其中每一个所述偏压的大小在8kV±2kV的范围内变化。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||