发明名称 半导体存储器、系统及半导体存储器的操作方法
摘要 本发明公开了半导体存储器、系统及半导体存储器的操作方法。指示对刷新操作的允许/禁止的局部刷新信息被根据外部输入来设置,并被作为局部设置信号而输出。刷新请求信号被周期性地输出,该刷新请求信号对应于刷新操作被允许的存储器块。在局部刷新信息被外部输入改变的时间段中,屏蔽局部设置信号以允许对所有存储器块的刷新操作。因此,即使当改变局部刷新信息的定时与刷新请求信号的发生定时重叠时,也可以防止响应于刷新请求的刷新操作的禁止。结果,可以安全地执行刷新操作,并可以防止半导体存储器的误动作。
申请公布号 CN101276640B 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200810005991.7 申请日期 2008.02.25
申请人 富士通微电子株式会社 发明人 富田浩由
分类号 G11C11/406(2006.01)I 主分类号 G11C11/406(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人 赵淑萍
主权项 一种半导体存储器,包括:多个存储器块,每个存储器块具有动态存储单元;刷新设置电路,其根据外部输入来设置指示对每个存储器块的刷新操作的允许/禁止的局部刷新信息,并输出所设置的局部刷新信息作为局部设置信号;刷新请求发生电路,其周期性地输出刷新请求信号,该刷新请求信号对应于由所述局部设置信号对存储器块指示允许的该存储器块;刷新地址计数器,其响应于所述刷新请求信号而产生刷新地址信号,该刷新地址信号指示被执行所述刷新操作的存储单元;操作控制电路,其响应于所述刷新请求信号而对一个存储器块执行所述刷新操作;和滤波电路,其在所述局部刷新信息被所述外部输入改变的时间段中,屏蔽来自所述刷新设置电路的所述局部设置信号,并向所述刷新请求发生电路输出指示对所有存储器块的刷新操作的允许的局部设置信号。
地址 日本东京都