发明名称 |
一种金属微网格透明电极及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种金属微网格透明电极及其制备方法,该透明电极为有序的金属微网格状结构,该透明电极的金属微网格厚度为10-50nm;网格宽度为140-800nm;其孔径为1-6μm。其制备方法为:用单分散聚苯乙烯微球组装单层胶体晶体模板,然后利用磁控溅射技术,向模板缝间沉积金属,溅射时间5-10分钟;最后,经有机溶剂超声清洗20-30分钟去除聚苯乙烯微球模板,得到所述透明电极。本发明的透明电极的金属微网格状结构可以兼顾高透光率、低电阻和低成本等基本要素,在光电器件、光探测器以及半导体发光等方面有广泛的用途;本发明的制备方法工艺简单、易于操作。 |
申请公布号 |
CN101246911B |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200810101641.0 |
申请日期 |
2008.03.10 |
申请人 |
北京航空航天大学 |
发明人 |
祁洪飞;郝维昌;王天民 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;C23C14/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 |
代理人 |
王顺荣;唐爱华 |
主权项 |
一种金属微网格透明电极,其特征在于:该透明电极为有序的金属微网格状结构;其中,该透明电极的金属微网格厚度为10-45nm;该透明电极的金属微网格其网格宽度为140-740nm;该透明电极的金属微网格其孔径为1.2-5.6μm。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路37号北京航空航天大学理学院材料物理和凝聚态物理中心 |