| 发明名称 | 一种MOS管版图设计方法、装置及一种芯片 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种MOS管版图设计方法及装置，以解决MOS管版图面积较大的问题。所述MOS管版图包括源极、漏极和栅极，所述方法包括：根据版图设计规则，获取MOS管版图的规定面积；在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。本发明通过将栅极进行多次折叠，可以在相同的版图面积上增大栅极区域，从而在相同面积上做出尺寸更大的MOS管。与现有技术相比，设计大尺寸的MOS管需要更小的版图面积，降低了工艺生产成本。此外，本发明还提供了一种包括所述MOS管的芯片，能够减小芯片面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101727526A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910243863.0 | 申请日期 | 2009.12.23 |
| 申请人 | 北京中星微电子有限公司 | 发明人 | 冯春磊 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人 | 苏培华 |
| 主权项 | 一种MOS管版图设计方法，所述MOS管版图包括源极、漏极和栅极，其特征在于，包括：根据版图设计规则，获取MOS管版图的规定面积；在所述规定面积的版图中，将栅极进行多次折叠，以使栅极呈折叠带状结构。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦16层 | ||