| 发明名称 | 一种晶体硅太阳能电池的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制备晶体硅太阳能电池的必需工艺，还包括如下步骤：在电池的背面形成单层钝化层；利用喷墨印刷在上述背面单层钝化层上印刷腐蚀性浆料，然后烘干腐蚀钝化层，清洗去除浆料，形成局部接触的窗口；然后在其上利用丝网印刷形成背面接触。本发明得到了背面钝化局部接触的太阳电池结构，试验证明，该钝化结构可以有效地提高了太阳电池的长波响应以及背面反射，提高了太阳电池的转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101728459A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910234466.7 | 申请日期 | 2009.11.18 |
| 申请人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司;阿特斯光伏科技(苏州)有限公司;阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司;阿特斯光伏电子(常熟)有限公司;常熟阿特斯太阳能电力有限公司 | 发明人 | 王立建;王栩生;朱冉庆;房海冬;章灵军 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 陶海锋 |
| 主权项 | 一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制备晶体硅太阳能电池的必需工艺，其特征在于，还包括如下步骤：(1)在电池的背面形成单层钝化层；(2)利用喷墨印刷在上述背面单层钝化层上印刷腐蚀性浆料，然后烘干腐蚀钝化层，清洗去除浆料，形成局部接触的窗口；然后在其上利用丝网印刷形成背面接触；其中，所述腐蚀性浆料的成分为磷酸，腐蚀性浆料的湿重为每片0.1～0.5g。 | ||
| 地址 | 215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 | ||