发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,根据该半导体装置及其制造方法,可以增加半导体装置的产量,并且谋求制造工序的简化。在半导体基板(10)表面的规定区域内形成多个焊盘电极(12)之后,经由粘接剂层(14)使支承体(15)与半导体基板(10)的表面粘贴。接着,在半导体基板(10)的与上述规定区域重叠的区域形成开口部(10A)。另外,在开口部(10A)内形成与各焊盘电极(12)电连接的配线层(18)。之后,经过规定的工序,最后沿着向开口部(10A)外侧延伸的切割线(DL)对包含半导体基板(10)及支承体(15)的层叠体进行切割。
申请公布号 CN101728348A 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200910179287.8 申请日期 2009.10.13
申请人 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社 发明人 富田弘明;须藤和之
分类号 H01L23/485(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/485(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陶凤波
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具有:半导体基板;经由粘接剂层与所述半导体基板的表面粘贴的支承体;形成于所述半导体基板的开口部;在所述开口部内,配置于所述支承体上的多个焊盘电极;在所述开口部内,与各焊盘电极电连接的配线层。
地址 日本大阪府