| 发明名称 | 挠性传感器单元的制备方法、所制得的挠性传感器单元及含该传感器单元的数组 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种从晶圆制备挠性传感器单元的方法，该晶圆包含多个传感器结构，各传感器结构包括：基板；金属-氧化物层；至少一个网状结构，位于所述金属-氧化物层中；以及电气导线，包括位于该金属-氧化物层中的至少一个第一接触片。该方法包括：蚀刻金属-氧化物层以释放网状结构；在网状结构上形成密封层；在金属-氧化物层上形成第一挠性材料层；及除去基板的相当厚度，该除去的厚度足使传感器结构具挠性。替代的方法为第一挠性材料层可在释放网状结构之前形成。该方法还可包括在晶圆背面形成第二挠性层的步骤。本发明还揭示根据该方法所制备的挠性传感器单元的新颖结构。同时也揭示一种包含多个该挠性传感器单元的数组。 | ||
| 申请公布号 | CN101728303A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910178167.6 | 申请日期 | 2009.10.15 |
| 申请人 | 范龙生;温环岸 | 发明人 | 范龙生;温环岸 |
| 分类号 | H01L21/70(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/70(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人 | 文琦;陈波 |
| 主权项 | 一种由传感器结构制备挠性传感器单元的方法，所述传感器结构包括：基板；金属-氧化物层；至少一个网状结构，其位于所述金属-氧化物层中；以及电气导线，包括至少一个第一接触片，其位于所述金属-氧化物层中；所述方法包括下列步骤：蚀刻所述金属-氧化物层以释放所述网状结构；在所述网状结构上形成一密封层；在所述金属-氧化物层上形成一第一挠性材料层；及除去所述基板的相当厚度，该除去的厚度足以使所述传感器结构具挠性。 | ||
| 地址 | 美国加州 | ||