发明名称 一种减小SDRAM产生辐射的方法
摘要 一种减小SDRAM产生辐射的方法,解决减小SDRAM与其它处理器芯片连接布线所产生辐射的技术问题,采用的技术方案是,以上方法是将SDRAM与处理器芯片之间的时钟信号引脚、控制信号引脚、地址信号引脚进行配套连接,以及SDRAM与处理器芯片之间的数据信号引脚借助分布在至少两层的金属线和过线孔进行连接,上述的布线方法是将SDRAM与处理器芯片之间的数据信号引脚根据引脚对应的物理位置、借助同一布线层的平行金属线对应连接,再借助翻译管理软件对数据的引脚编码顺序进行翻译处理,保证数据存、读的正确性。本发明的优点是保证数据信号线在同一布线层内平行分布,减少过线孔的数量,保证了地平面的完整性,同时有效地减少了SDRAM的辐射现象,成本低廉。
申请公布号 CN101727970A 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200910110471.7 申请日期 2009.11.03
申请人 深圳市共进电子有限公司 发明人 黄德斌;王志波;邓永坚;郭小东
分类号 G11C11/409(2006.01)I 主分类号 G11C11/409(2006.01)I
代理机构 深圳市智科友专利商标事务所 44241 代理人 曲家彬
主权项 一种减小SDRAM产生辐射的方法,以上方法是将SDRAM与处理器芯片(U)之间的时钟信号引脚、控制信号引脚、地址信号引脚进行配套连接,以及SDRAM与处理器芯片(U)之间的数据信号引脚借助分布在至少两层的金属线和过线孔(via)进行连接,其特征在于:所述的方法具体步骤是:首先将SDRAM与处理器芯片(U)之间的数据信号引脚根据引脚对应的物理位置、借助同一布线层内的平行金属线对应连接;其次借助处理器芯片(U)中存储的引脚编码顺序翻译软件,在向SDRAM中存或读数据时,对数据的引脚编码顺序进行翻译处理,保证数据存、读的正确性。
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