| 发明名称 | 氮化镓生长方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上采用磁控溅射、脉冲激光沉积或MOCVD的方法，生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上采用MOCVD、HVPE或者脉冲激光沉积、磁控溅射的方法，生长外延层。本发明的氮化镓生长方法，可以实现氮化镓材料的高质量生长和极性选择以及低成本衬底的使用。 | ||
| 申请公布号 | CN101728248A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200810224104.5 | 申请日期 | 2008.10.15 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 段瑞飞;魏同波;王国宏;曾一平;李晋闽 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种氮化镓生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上采用磁控溅射、脉冲激光沉积或MOCVD的方法，生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上采用MOCVD、HVPE或者脉冲激光沉积、磁控溅射的方法，生长外延层。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||