半导体器件及其制造方法

摘要

本发明披露了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：刻蚀半导体衬底以形成沟槽；在半导体衬底上制备内衬氮化层以覆盖沟槽的内侧；在内衬氮化层上沉积保护氧化层；以及在半导体衬底上制备间隙填充介电层，然后平坦化间隙填充介电层以形成器件隔离膜，其中，所述半导体衬底具有沟槽，该沟槽具有沉积在其中的保护氧化层。为防止对衬垫氮化层和沟槽的内底部的损坏，该方法进一步包括在衬底的整个表面以及沟槽的内侧沉积诸如HTO膜的保护氧化层，从而制造具有优良性能的半导体器件。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有沟槽；内衬氮化层，位于所述沟槽中和所述半导体衬底上；保护氧化层，沉积在所述内衬氮化层上；以及器件隔离膜，通过在所述半导体衬底上制备间隙填充介电层以覆盖具有沉积在其上的所述保护氧化层的所述沟槽的内侧，并平坦化所述间隙填充介电层来形成所述器件隔离膜。