发明名称 |
改变读取参考电流以存取具有读取错误的非挥发存储器的装置与方法 |
摘要 |
本发明披露一种非挥发存储集成电路的读取参考值的改变,以回应与先前编程数据位相关的先前产生的检查码与回应读取命令而产生的新检查码之间的不一致。 |
申请公布号 |
CN101114530B |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200710103412.8 |
申请日期 |
2007.05.08 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
洪俊雄;陈汉松 |
分类号 |
G11C29/42(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/42(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
王英 |
主权项 |
一种读取非挥发存储器的方法,包括:回应至接收读取命令的非挥发存储集成电路,该非挥发存储集成电路进行:根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的多个非挥发数据位来产生第一检查码;存取储存于该非挥发存储集成电路中的第二检查码,其作为与该多个非挥发数据位相关的多个非挥发数据检查位;检查该第一检查码与该第二检查码是否相符;于该产生与该检查步骤之后,回应该第一检查码与该第二检查码间的不相符,改变施加至存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非挥发数据位的至少一个参考值,以区别该多个非挥发数据位所代表的逻辑级别。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |