发明名称 荧光淬火器件以及使用荧光淬火器件的显示器
摘要 一种具有空穴势垒层和/或电子势垒层的显示器,借此空穴势垒层和/或电子势垒层设置在显示器的发射体层和第一电极层或第二电极层之间。空穴势垒层的最高被占据的分子轨道的能量小于发射体层的最高被占据的分子轨道的能量,和/或电子势垒层的最低未被占据的分子轨道的能量大于发射体层的最低未被占据的分子轨道的能量。通过安排空穴势垒层和/或电子势垒层的分子轨道的能级,可以产生势垒,阻止不期望的电荷载流子在显示器的再次发射模式操作期间沿相反方向的注入。
申请公布号 CN1551698B 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200410028419.4 申请日期 2004.03.11
申请人 三星移动显示器株式会社 发明人 M·雷德克;J·费希尔
分类号 H01L51/50(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 龚海军;梁永
主权项 一种基于荧光淬火器件(PQD)的显示器,所述显示器包括:基板;发射体层;透明的安排在所述发射体层前侧的第一电极层;设置在所述发射体层后侧的第二电极层;和至少一个空穴势垒层和/或一个电子势垒层,所述空穴势垒层和/或所述电子势垒层设置在所述第一电极层和所述第二电极层其中的一个与所述发射体层之间,其中所述空穴势垒层的最高被占据的分子轨道的能量小于所述发射体层的最高被占据的分子轨道的能量,和/或所述电子势垒层的最低未被占据的分子轨道的能量大于所述发射体层的最低未被占据的分子轨道的能量;其中所述发射体层的最低未被占据的分子轨道对应于所述空穴势垒层的最低未被占据的分子轨道,和/或所述电子势垒层的最高被占据的分子轨道对应于所述发射体层的最高被占据的分子轨道,借此在所述显示器的再次发射模式操作期间所述第一电极层形成阴极,所述第二电极层形成阳极,并且在所述显示器的发射模式操作期间所述第一电极层形成阳极,所述第二电极层形成阴极;或者其中所述发射体层的最低未被占据的分子轨道的能量大于所述空穴势垒层的最低未被占据的分子轨道的能量,和/或所述电子势垒层的最高被占据的分子轨道的能量大于所述发射体层的最高被占据的分子轨道的能量,借此在所述显示器的再次发射模式操作期间所述第一电极层形成阴极,所述第二电极层形成阳极。
地址 韩国京畿道水原市