具有接地写位线和电隔离读位线的MRAM体系结构

摘要

磁阻随机访问存储器(MRAM)阵列(200)的每个存储器单元(260，262，266，268)具有磁隧道结(MTJ)和被连接到所述MTJ的晶体管(261)。由沿着所述阵列的行和列的写线(220，232)发生写。一组写线(232，236)被连接到所述MTJ的没有被连接到所述晶体管的端部。从而这些写线接近所述MTJ，并且因此具有到所述MTJ的良好的磁耦合，这对保持写电流为低是重要的。这些写线在一端被驱动器(240，252)驱动。另一方面感知发生在被连接到没有被连接到所述MTJ的存储器单元的晶体管的端部的读位线(222)上。通过使得读出放大器(270)在与写驱动器不同的线上，感知没有被写驱动器(240，252)的电容减慢。

主权项

一种存储器，包括：具有第一端子和第二端子的第一磁隧道结；具有被连接到第一磁隧道结的第一端子的第一电流电极、第二电流电极和控制电极的第一晶体管；在第一方向上与第一磁隧道结接近的第一写字线；被连接到第一晶体管的控制电极的第一读字线；读出放大器；其特征在于，所述存储器进一步包括：在与所述第一方向成直角的第二方向上与第一磁隧道结接近地经过，并且被连接到第一磁隧道结的第二端子的第一写位线；第一读位线，它将第一晶体管的第二电流电极连接到所述读出放大器。