编程多阶存储单元存储阵列的方法

摘要

本发明公开了一种操作电荷捕捉多阶存储单元存储阵列的方法，包含利用一第一编程机制，编程一第一电荷捕捉位置成为一初步第一阶值，编程一第二电荷捕捉位置成为一初步第二阶值，以及编程一第三电荷捕捉位置成为一最终第三阶值。随后，再利用一第二编程机制，将该第一电荷捕捉位置编程为一最终第一阶值，而该第二电荷捕捉位置编程为一最终第二阶值。

主权项

一种在一电荷捕捉存储单元阵列中操作一选定存储单元的方法，其特征在于，该选定存储单元包含一第一电荷捕捉位置与一第二电荷捕捉位置，该第一电荷捕捉位置与该第二电荷捕捉位置可编程为不同的多个阈值电压，包括一低阶层阈值电压与一高阶层阈值电压，该方法包含：在该选定存储单元中，将该第一电荷捕捉位置编程为对应于该低阶层阈值电压范围，该编程过程包含应用一第一编程机制，该第一编程机制可将该第一电荷捕捉位置的一阈值电压设定在一低于该低阈值电压范围的阶层，该编程过程还包含应用一第二编程机制，该第二编程机制可将该第一电荷捕捉位置的该阈值电压，设定于该低阶层阈值电压范围之内；以及在该选定存储单元中，将该第二电荷捕捉位置编程为对应于该高阶层阈值电压范围，该编程过程包含应用该第一编程机制，该第一编程机制可将该第二电荷捕捉位置的一阈值电压，设定于该高阶层阈值电压范围之内；检查该第二电荷捕捉位置的该阈值电压是否位于该高阶层阈值电压范围之内，如果没有位于该高阶层阈值电压范围之内，则应用该第二编程机制，将该第二电荷捕捉位置的该阈值电压，设定在该高阶层阈值电压范围之内；或者，如果没有位于该高阶层阈值电压范围之内，则反复施加一脉冲并进行检查，直到该第二电荷捕捉位置的该阈值电压位于该高阶层阈值电压范围之内。