石墨单晶片的割炬式制备装置和制备方法

摘要

本发明是关于一种石墨单晶片的割炬式制备装置和制备方法，其特别之处在于：它由制备炉、风扇和割炬组成；风扇置于制备炉口，割炬喷火端置于制备炉内，割矩控制端置于制备炉外；制备炉下部设有多个进风口；制备炉壁上设置观察窗。用割炬的火焰将石墨加热到1000℃以上，待石墨分子间的范德华力完全消失后，用高压氧气喷击石墨，从而产生一些石墨单晶片；飘扬起来的石墨单晶片和尚未成为单晶片的石墨晶片，随热空气上升，流过制备炉的导流道，逸出制备炉口后，被设置在制备炉口的风扇吹向远处；由于物质的自重因素，石墨单晶片将被吹得最远，在石墨晶片下落的最远处，可以收集到石墨单晶片。本发明生产石墨单晶片的工效较高，产品质地纯净。

主权项

一种石墨单晶片的割炬式制备装置，其特征在于它由制备炉、风扇和割炬组成；风扇置于制备炉口，割炬喷火端置于制备炉内，割矩控制端置于制备炉外；制备炉下部设有多个进风口；制备炉壁上设置观察窗。