| 发明名称 | PMOS晶体管的制造方法及PMOS晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了两种PMOS晶体管的制造方法及利用该方法制造的PMOS晶体管，其中一种方法包括步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成栅氧层；在栅氧层上形成栅导电层；通过栅导电层向栅氧层掺杂F离子；刻蚀栅导电层和栅氧层，形成栅极；在栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏极区。该PMOS晶体管的制造方法，使得PMOS晶体管的NBTI提高，PMOS晶体管的性能提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101728269A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200810224805.9 | 申请日期 | 2008.10.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 居建华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成栅氧层；在栅氧层上形成栅导电层；通过栅导电层向栅氧层掺杂F离子；刻蚀栅导电层和栅氧层，形成栅极；在栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏极区。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||