发明名称 有效控制单晶硅中碳含量的方法
摘要 本发明公开了一种有效控制单晶硅中碳含量的方法,该方法通过合理搭配使用不同碳含量的原料,拉制单晶硅之前就合理计算出每炉料中的平均碳含量,因此极大地提高了次级料的利用率,并且有效控制了单晶硅中的碳含量,同时节约了生产成本,提高了经济效益。
申请公布号 CN101724890A 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200910175320.X 申请日期 2009.12.14
申请人 晶龙实业集团有限公司;宁晋晶兴电子材料有限公司 发明人 刘彬国;张呈沛;何京辉
分类号 C30B15/20(2006.01)I 主分类号 C30B15/20(2006.01)I
代理机构 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人 米文智
主权项 一种有效控制单晶硅中碳含量的方法,其特征在于包括以下步骤:1)测量并详细记载清楚所采用每种原材料的碳含量Ci,准确测量每种原材料的重量Mi;2)按照公式C=(C1×M1+C2×M2+C3×M3……)×0.07/ρM配制原料,使所配原料碳含量≤10×1016atoms/cm3;其中:C为所配原料的碳含量,C1、C2、C3……为每种原材料的碳含量,M1、M2、M3……为对应不同碳含量C1、C2、C3……的原材料的质量,0.07为分凝系数,ρ为硅的密度,M为所配原料的总量;3)将所配原料放入单晶硅炉内,加热熔融提拉单晶硅;4)测量所拉制的单晶硅的顶端、中部及尾端的碳含量,将单晶硅上碳含量>10×1016atoms/cm3的部位切除,作为下次拉制单晶硅的原材料使用。
地址 055550 河北省宁晋县高新技术开发区