半导体光电元件

摘要

一种半导体光电元件，其包括：一个基板和一个磊晶结构层，该磊晶结构层位于所述基板之上，该磊晶结构层包括一个N型半导体层，一个第一P型半导体层，一个多重量子井结构层以及一个未掺杂的半导体层。该N型半导体层所用材料的化学通式为AlaInbGa1-a-bN。该第一P型半导体层所用材料的化学通式为AlcIndGa1-c-dN。该多重量子井结构层设置在该N型半导体层与该第一P型半导体层之间。该未掺杂的半导体层设置在该N型半导体层与该多重量子井结构层之间，该未掺杂的半导体层的位垒层能阶高于该多重量子井结构层的位垒层能阶。

主权项

一种半导体光电元件，其包括：一个基板和一个磊晶结构层，该磊晶结构层位于所述基板之上，该磊晶结构层包括一个N型半导体层、一个第一P型半导体层以及一个多重量子井结构层，该N型半导体层所用材料的化学通式为AlaInbGa1-a-bN，其中，a≥0，b≥0，1≥a+b≥0，该第一P型半导体层所用材料的化学通式为AlcIndGa1-c-dN，其中，c≥0，d≥0，1≥c+d≥0，该多重量子井结构层设置在该N型半导体层与该第一P型半导体层之间，该多重量子井结构层所用材料的化学通式为AlxInyGa1-x-yN，其中，x≥0，y≥0，1≥x+y≥0，其特征在于：该磊晶结构层进一步包括一个未掺杂的半导体层，该未掺杂的半导体层设置在该N型半导体层与该多重量子井结构层之间，该未掺杂的半导体层所用材料的化学通式为：AlrInsGa1-r-sN，其中，r≥0，s≥0，1≥r+s≥0，且该未掺杂的半导体层的位垒层能阶高于该多重量子井结构层的位垒层能阶。